Cơ quan công nghiệp chịu trách nhiệm quản lý các tiêu chuẩn công nghệ bộ nhớ có tên Hội đồng kỹ thuật thiết bị điện tử (JEDEC Joint Electron Device Engineering Council).
Thông tin cơ bản
Cơ quan công nghiệp chịu trách nhiệm quản lý các tiêu chuẩn công nghệ bộ nhớ có tên Hội đồng kỹ thuật thiết bị điện tử
(JEDEC Joint Electron Device Engineering Council). Vài năm trước, cái tên này đã được chuyển thành “Hiệp hội công nghệ bán dẫn JEDEC”. JEDEC lại thuộc một cơ quan tiêu chuẩn hoá kỹ thuật bán dẫn lớn hơn mang tên Hiệp hội Công nghệ Điện tử (EIA – Electronic Industries Alliance ). EIA là một tổ chức thương mại đai diện cho toàn bộ các lĩnh vực trong ngành công nghiệp điện tử.
Tất cả những công ty sản xuất nên chiếc máy tính bạn đang sử dụng đều là thành viên của EIA và JEDEC. Kể từ năm 1958 cho đến nay, JEDEC đã trở thành nhà phát triển tiêu chuẩn hàng đầu trong ngành công nghiệp bán dẫn. Trong vòng 15 năm, tốc độ DRAM đã tăng tới 4,000%, trong khi thiết kế của chúng vẫn vô cùng đơn giản. Thực ra đây là một điều có chủ ý từ trước.
MOSAID thì
“DDR2 SDRAM,kẻ thống lĩnh thị trường hiện tại, có tính bảo đảm cao, dung lượng lưu trữ lớn, giá thành thấp, và băng thông kênh hợp lý nhưng lại có giao diện thô kệch và mạch điều khiển rắc rối.”
Để cho rõ ràng, chúng ta sẽ gọi SD-RAM là “SDR”, thế hệ DDR SD-RAM đầu tiên là “DDR1”, còn “DDR” sẽ đại diện cho toàn bộ gia đình bộ nhớ liên quan đến tiêu chuẩn DDR.
thường được dùng để chỉ dung lượng lưu trữ. Băng thông và Tốc độ là hai đơn vị đo lường khác nhau, sự khác nhau nằm ở cách chúng ta mô tả hiệu suất hệ thống như thế nào . Nó không hạn chế chỉ liên quan bộ nhớ mà cả các bộ phận khác trong máy tính nữa.
Một đơn vị dùng để minh hoạ lượng dữ liệu được gửi đi (bit), thường được tính bằng lượng đơn vị trong một khoảng thời gian nhất định (bit/giây). Đơn vị còn lại để diễn tả độ nhanh của dòng dữ liệu (Hz). Càng nhiều đơn vị dữ liệu được chuyển qua một dây, dòng luân chuyển càng nhanh. Khi bàn về tốc độ trong hệ thống bộ nhớ, hai khái niệm này có thể được dùng tráo đổi cho nhau.
Những người dùng có kinh nghiệm thường để ý đến một đơn vị đo khác có tên Chu kỳ xung nhịp (CK hoặc tCK). Nó được dùng để mô tả thời gian trễ bộ nhớ, tức khoảng thời gian ngưng trệ cần thiết trong quá trình bộ nhớ hoặc động, khoảng thời gian này càng ngắn, tốc độ bộ nhớ càng cao. Ngoài ra, một vòng xung nhịp còn được đổi ra thành nano giây (ns). Trong phần sau, chúng ta sẽ bàn kỹ hơn về chủ đề này.
Tần số (Hz) tương đương với tốc độ tối đa mà các xe có thể chạy. Giới hạn tốc độ càng cao, xe càng có thể chạy với tốc độ cao hơn, nhưng cũng dễ va chạm hơn. Khi đó, thời gian trễ bộ nhớ có thể xem như những ngã tư với đèn giao thông, tạo ra những khoảng dừng cần thiết để giảm bớt tai nạn. Việc giảm thời gian chờ đợi sẽ giúp tăng lưu lượng xe cộ, nhưng với điều kiện là chúng đã sẵn sàng và có đủ thời gian lăn bánh.
Solid State như NAND và NOR.
Theo Kingston Memory, ở bộ nhớ DDR1 (thế hệ thứ nhất), một máy tính trung bình mất khoảng 200ns (nano giây) để truy cập một bộ nhớ vật lý, và mất 12,000,000ns đối với ổ cứng. Nói một cách dễ hiểu, nó hoạt động với vận tốc chậm hơn 60000 lần, tương đương với sự khác biệt giữa 1 phút và 42 ngày.
Sự khác nhau giữa Bộ nhớ Cache và RAM
Intel E6750 kết hợp với chipset Intel X38 có tốc độ cache L1 khoảng 42500MB/giây. Tiếp đến là cache L2 tuy có chậm hơn, nhưng lại lớn hơn hẳn (Megabytes) với tốc độ khoảng 20500MB/giây. Còn bộ nhớ DDR3 kênh đôi mới ( Dual-Channel ) nhất với tần số 1,333MHz và thiết lập thời gian trễ trung bình có băng thông khoảng 8,800MB/giây.
Một số module bộ nhớ DDR sử dụng công nghệ đệm để có độ ổn định và tốc độ cao hơn. Những bộ nhớ “đệm” này có mạch điện cao cấp chuyên dụng cho máy tính trạm và máy chủ.
Fully-Buffered DIMM (FB-DIMM) sử dụng Bộ nhớ đệm cao cấp (AMB) để nâng cao khả năng truyền dữ liệu, tính toàn vẹn của tín hiệu và phát hiện lỗi. Nó được thiết kế để chuyển lần lượt dữ liệu (không phải theo cấu trúc Bus Song song mà theo phương thức Nối tiếp) giữa AMB và mạch điều khiển bộ nhớ. Một vấn đề của FB-DIMM chính là việc hiệu suất làm việc của nó liên quan tới TPD ( Thermal Power Design ) – là một Chip phụ nằm trên thanh nhớ để điều khiển việc truy cập dữ liệu liên quan tới năng lượng toả ra ( năng lượng toả ra một mức độ nào đó thì nó sẽ tăng thời gian trễ của bộ nhớ để giảm nhiệt độ ).
Nhưng tại sao chúng ta lại phải để ý đến những bộ nhớ này trong khi chúng chẳng liên quan gì đến DDR?
Santa Rosa” Centrino mới nhất. Nó có vai trò như một cache lớn chứa những file và ứng dụng thường xuyên sử dụng, và có tốc độ truy cập ngẫu nhiên nhanh hơn so với ổ cứng cơ khí thông thường .
Các hệ điều hành hỗ trợ loại công nghệ lưu trữ đôi này có lợi thế ở thời gian khởi động bởi các file hệ điều hành quan trọng sẽ được chứa trong bộ nhớ flash trong quá trình khởi động. Cũng chính nhờ khả năng này mà trong tương lai, bộ nhớ flash sẽ hoạt động nhiều hơn và hợp tác chặt chẽ hơn với bộ nhớ DDR. Tuy nhiên, trong tương lai gần, thì không chiếc máy tính nào phụ thuộc nhiều vào khả năng này bởi bộ nhớ flash có tuổi thọ ngắn so với ổ cứng thông thường và bộ nhớ DDR.
Thiết bị lưu trữ kiểu SSD sẽ đóng vai trò quan trọng trong nền công nghệ tương lai bởi nhu cầu điện năng của chúng thấp hơn nhiều. Ngoài ra, tính ổn định và bền vững trong môi trường di động của ổ SSD lớn hơn so với ổ đĩa cơ học chuẩn. Tuy nhiên, giá thành của loại ổ này tính trên mỗi MB cũng cao hơn rất nhiều, khiến chúng mới chỉ được sử dụng cho các ứng dụng yêu cầu dung lượng thấp như ReadyBoost.
Nói chung, bộ nhớ SS ( Solid State ) chậm hơn so với công nghệ DDR hiện tại và có thể có tuổi thọ ghi dữ liệu ngắn hơn, mặc dù điều này đang nhanh chóng được cải thiện nhờ công nghệ mới, thậm chí trong một số trường hợp, tốc độ thông lượng dữ liệu tuần tự Đọc / Ghi của các thiết bị SSD có tốc độ cao nhất đã ngang bằng hoặc vượt qua ổ cứng. Tuổi thọ của thiết bị phụ thuộc vào sự kết hợp giữa khả năng sửa lỗi, bit-redundancy, logic phép tính và thuật toán tự kiểm tra do nhà sản xuất sử dụng.
Lợi ích trước mắt của việc sử dụng SSD chống va đập đột ngột khi di chuyển . Hơn nữa, SSD tiêu thụ ít điện năng hơn và toả ít nhiệt hơn, một đặc điểm lý tưởng đối với máy tính xách tay và các thiết bị di động.
Do đó, chúng ta có đầy đủ cơ sở để hy vọng rằng trong tương lai, những nhược điểm của ổ cứng cơ học sẽ bị loại bỏ. Các trung tâm dữ liệu trên toàn thế giới sẽ tiết kiệm được một khoản chi phí lớn nhờ gặp ít sự cố nghiêm trọng hơn, cũng như cắt giảm điện năng cho máy điều hoà nhiệt độ. Trong một vài năm tới, thị trường dành cho bộ nhớ SS sẽ lớn hơn DRAM do chi phí giảm và mật độ tăng.
Các cấp bậc bộ nhớ trong máy tính
Có hai cách miêu tả đặc tính bộ nhớ DDR: một dựa trên đặc tính chip DRAM; và một dựa trên đặc tính module bộ nhớ. Đôi khi hai phương pháp này được dùng lẫn lộn, nhưng trong phần tiếp theo của bài báo này, chúng ta sẽ bàn luận kỹ hơn và bạn sẽ thấy rằng không phải tất cả các bộ nhớ đều bình đẳng như nhau.
Khác biệt chính giữa các thế hệ DDR
Bộ nhớ SDRAM chỉ truyền dữ liệu theo sườn lên của xung nhịp đồng hồ ( như hình trên ) vì thế một chu kì xung nhịp chỉ có thể truyền một dữ liệu .
Bảng so sánh những bộ nhớ DDR , DDR2 và DDR3 theo tiêu chí kỹ thuật
Tổng quan về bộ nhớ – Phần 1
