Sau 17 tháng phát triển một nhóm gồm những nhà sản xuất bộ nhớ lớn nhất thế giới đã thông báo về giải pháp mới dự kiến tăng hiệu suất làm việc so với DRAM DDR3/DDR4 trong khi vẫn tiết kiệm điện năng .

Được tạo bởi Liên minh HMC (Hybrid Memory Cube Consortium) , trong đó có Samsung và Micron , HMC được thiết kế để giải quyết những hạn chế của những thanh nhớ DRAM thông thường ảnh hưởng tới hiệu suất làm việc khi mức cầu tăng cao .

Minh họa của HMC bên dưới khiến cho chúng ta liên tưởng tới thông báo mới đây của NVIDIA về những Card màn hình Volta sẽ tới trong những năm  2016 dùng thiết kế DRAM xếp lớp cung cấp băng thông lên tới 1TB/s .

Micron có kế hoạch đưa ra hàng mẫu của DRAM xếp lớp vào mùa Thu năm nay và muốn đi vào sản xuất từ nửa đầu năm  tới .

HMC làm việc dựa trên những chip DRAM được xếp chồng lên nhau với công nghệ VIA (Virtical Interconnect Access) cho phép những dây dẫn điện đi theo chiều thẳng đứng qua những Wafer của Silicon . Khối bộ nhớ này nằm phía trên  của chip logic và đặt bên cạnh những bộ phận cơ bản .

Theo Micron thì hàng mẫu hiện nay có từ 128 hoặc 256 lớp bộ nhớ trong một gói 2GB và 4GB cung cấp băng thông Bi-Directional lên tới 160GB/s .

DDR3 hiện tại cung cấp băng thông 11GB/s , DDR4 đạt được 18GB tới 20Gb/s . Bên cạnh nhanh hơn 15 lần so với DRAM chuẩn , HMC tiêu hao chỉ khoảng 70% so với bộ nhớ chuẩn .